近些年發(fā)展起來(lái)的薄膜鈮酸鋰制備與刻蝕工藝令鈮酸鋰材料重新活躍于集成光學(xué)領(lǐng)域，以鈮酸鋰高速調(diào)制器為代表的一系列集成光學(xué)器件得以發(fā)展。此外，鈮酸鋰的其他光學(xué)性能也十分*，下面從鈮酸鋰晶體性質(zhì)入手，說(shuō)明為什么它在集成光學(xué)領(lǐng)域具有潛力。

   近日，清華大學(xué)精密儀器系李楊副教授團(tuán)隊(duì)在薄膜鈮酸鋰平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了集成光學(xué)相控陣。基于薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器，此類(lèi)集成光學(xué)相控陣有望實(shí)現(xiàn)超高調(diào)制速度、超低能量消耗、低插入損耗。由于該器件能夠?qū)崿F(xiàn)超高掃描速度，在傳統(tǒng)應(yīng)用之外，為其他新應(yīng)用開(kāi)辟了可能性，例如高密度點(diǎn)云生成和層析全息術(shù)。

  光學(xué)相控陣在激光雷達(dá)、自由空間通信、虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、醫(yī)學(xué)掃描成像等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。在以上這些應(yīng)用中，相比機(jī)械轉(zhuǎn)鏡實(shí)現(xiàn)的光束掃描，光學(xué)相控陣能夠提供更長(zhǎng)的使用壽命。

   實(shí)現(xiàn)光學(xué)相控陣的方法有：液晶、MEMS、集成光學(xué)，其中集成光學(xué)相控陣能夠利用現(xiàn)代微電子加工工藝，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。目前主流材料平臺(tái)是硅基平臺(tái)，在該平臺(tái)上，通過(guò)熱光或電光相位調(diào)制的方法，能夠?qū)崿F(xiàn)波束發(fā)射角度的偏轉(zhuǎn)。

鈮酸鋰無(wú)氧化烘箱

  真空無(wú)氧化烘箱用于半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體封裝和MEMS器件的批量生產(chǎn)。主要用于PI/CPI固化，BCB固化，PBO固化，LCP纖維熱處理。

鈮酸鋰無(wú)氧化烘箱技術(shù)性能

溫度范圍：50～300/450℃

升溫速率：1～10℃/m，可調(diào)

降溫時(shí)間：≤90min

氧含量性能：≤10ppm 

材料：耐高溫316L不銹鋼

保溫材料：高性能陶瓷纖維

冷卻方式：輔助降溫

操作方式：人機(jī)界面